近日，我校物理学韶峰班2017级本科生苏来源以第一作者身份在中科院SCI一区Top期刊《ACS材料快报》(ACS Materials Letterrs) (影响因子IF=11.17)上发表研究成果《I4/mcm-Si48：理想拓扑节点半金属硅晶体》(I4/mcm-Si48: An Ideal Topological Nodal-Line Semimetal)。我校为第一单位，苏来源为第一作者，太阳3平台登录地址李金副教授、何朝宇教授和北京航空航天大学胜献雷教授为论文的共同通讯作者。

《ACS材料快报》是ACS期刊旗下Chemistry of Materials和ACS Applied Materials & Interfaces中的精选快报，旨在快速发表材料学及其交叉学科前沿研究领域的高水平创新性科研成果。

硅晶体材料是半导体工业的基石，探索具有新奇物性的新型硅晶体材料，对于拓展和开发新型硅基功能材料和器件具有重要意义。苏来源在学术导师李金副教授和何朝宇教授共同指导下，利用课题组晶体结构预测软件RG2成功预测得到了1235种低密度的新型硅结构，自主开发了通用紧束缚近似计算程序，基于VASP-HSE拟合得到了具有良好通用性和准确性的硅元素紧束缚参数，快速筛选获得了一种新型狄拉克节线半金属硅结构（I4/mcm-Si48）。研究发现，该节线半金属硅结构是受镜面对称性和空间-时间反演对称性保护，具备鼓膜状特征表面态，其高费米速度的狄拉克电子能被光激发。这表明，该新型硅结构有望为硅基高速光电子器件的设计开发提供一种新的候选材料。

该研究为苏来源在我校学习期间完成，得到了国家自然科学基金和湖南省杰出青年基金支持。在校期间，苏来源曾获基础学科奖学金、韶峰班甲等奖学金、校优秀大学生党员、优秀班干部和三好学生等奖励和荣誉，并被免试推荐至南方科技大学攻读博士学位。